#1 |
数量:500 |
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最小起订量:5 英国伦敦 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:2920 |
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最小起订量:5 英国伦敦 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:3131 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货,1-3个工作日送达. |
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规格书 |
FDMC86248 |
文档 |
Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014 |
标准包装 | 3,000 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 150V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 3.4A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 90 mOhm @ 3.4A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 4V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 9nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 525pF @ 75V |
功率 - 最大 | 2.3W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 8-PowerTDFN |
供应商器件封装 | Power33 |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
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